Компания Samsung Electronics, на выставке VM World 2010 представила новые, изготовленные по 40 нм техпроцессу, низкопрофильные модули памяти объемом 16 ГБ. Модули работают при пониженном напряжении питания 1.35 В, вместо стандартных 1.5 В и потребляет на 20% меньше энергии, чем аналогичные стандартные модули памяти DDR3.

Печатная плата каждого модуля содержит 18 микросхем DDR3 памяти плотностью 4 Гбит. Данные энергоэкономичные модули рассчитаны, прежде всего, на работу в составе серверов, и уже сейчас, ими комплектуются сервера IBM HS22 и HS22V.